常见问题
常见问题解答
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后端服务
UMS 对芯片焊接有什么建议？
请参考 UMS 官网的应用笔记 AN0001，了解 UMS 器件推荐的焊接温度曲线和指南。
UMS QFN 封装服务是如何运作的？
UMS 提供经过认证的 QFN 塑封服务，适用于 GaN 和 GaAs 两种工艺技术。该服务包括 UMS 安全库存的引线框架库，以及需由客户完成的封装设计规则合规检查清单。组装有最小起订量要求。对于样品数量较少的开发光罩，可选择使用假片（dummy wafer）进行工艺调试和认证。如需完整的 QFN 设计流程和引线框架规格，请联系代工支持团队。
BEBO、BEMO、MENT、NTBO、NTMO 和 NTNT 分别代表什么？
交付的芯片按四字母代码分类，源自法语缩写：
- 前两位表示电性能分选：BE = 电性能合格，ME = 电性能不合格，NT = 未分选
- 后两位表示光学分选：BO = 光学合格，MO = 光学不合格，NT = 未分选
示例：BEBO = 电性能合格/光学合格的芯片，BEMO = 电性能合格/光学不合格的芯片，NTNT = 电性能未分选/光学未分选的芯片。
每根探针的最大直流电流是多少？
每根探针的最大直流电流为 500 mA。
晶圆在胶膜上可以存放多久？
胶膜并非用于长期存放，而是用于运输。在胶膜上的最佳存放期限约为 6 个月。如需长期存储，UMS 建议将晶圆置于受控环境中，保留原包装。具体存储建议请联系代工支持团队。
如何去除 UV 胶带？
请联系代工支持团队获取 UV 胶带去除程序的具体文档。UMS 会为有后端服务订单的客户提供详细的工艺说明。
CAD / 代工服务
如何安装 ADS PDK？
设计工具包中包含安装指南。
ADS PDK 许可证到期后如何续期？
年度 ADS 密钥可直接从您在 UMS 官网的账户中下载。
为什么获取 PDK 需要签署 DK（Design Kit）协议？
DK（设计工具包）/ DM（设计方法）知识产权用户协议是为了保护 UMS 的知识产权。PDK 包含 UMS 开发的专有模型参数、版图单元和工艺设计规则。签署协议确保您仅将 PDK 用于自身设计工作，且不会分享或逆向工程其中的内容。
为什么 DK 协议仅由客户单方签署？
本文件为单向协议。在此阶段，仅 UMS 向客户分享技术信息，该等信息不应转让给第三方或公开发布。而客户产生的成果（包括模型、设计、测量数据、电路拓扑）属于客户的知识产权，为其独家所有。UMS 承诺保护其机密性。
进行代工流片是否需要出口许可证？
仅当出口目的地为欧盟、澳大利亚、加拿大、日本、新西兰、挪威、瑞士、英国和美国以外的国家时，才需要单独出口许可证。客户应根据要求填写最终用途证明（EUC）。审核约需 1 个月。
可以将 PDK 发送给我们公司的其他部门吗？
PDK 仅授权给特定的法律实体（公司）。如果贵公司的其他部门需要使用 PDK，则必须另行签署 DK 协议。请联系 UMS 代工支持团队为额外的公司部门或子公司安排 PDK 访问权限。
如何申请设计工具包（PDK）？
获取设计工具包需要签署 DK/DM 知识产权用户协议。请访问我们的设计工具包页面下载协议并提交申请。您也可以在 UMS Portal 注册，在线申请 PDK 访问权限。
如何参与共享流片（MPW）？
请访问我们的 共享流片（MPW）页面了解当年排期及各工艺报价。然后通过 代工咨询 表单提交询价，TMT 将协助您与 UMS 协调 MPW 参与事宜。
Layout
可以修改晶体管或二极管的版图吗？
有源器件的版图不可修改。如果客户出于开发目的希望测试版图修改，UMS 可在检查所提出版图的可制造性后接受例外处理。尽管如此，UMS 无法保证模型精度、器件可靠性（鲁棒性和寿命）或制造良率。
如何在电路上绘制文字？
请使用 ADS 元件库（Miscellaneous 面板）中的字母库，或 Cadence AWR MWO PDK 提供的 gds 文件。
在哪些情况下必须使用 PDK 中的焊盘（pad）？
如由 UMS 进行晶圆在片测试或组装，则必须使用 PDK 中提供的焊盘单元（pad cell），因为这些焊盘具备 UMS 服务所需的最小尺寸。如果客户的测量和/或组装在 UMS 以外进行且工艺兼容，则可以使用其他尺寸和间距的焊盘。
UMS 晶圆在片测试（OWT）的版图约束有哪些？
必须使用 PDK 库中的射频和直流焊盘。建议每个直流焊盘配一个接地焊盘。每侧最多 15 个焊盘。每根探针最大直流电流为 500 mA。
Model
可以在有效域之外使用模型吗？
模型可基于外推在有效域之外提供仿真结果。但 UMS 不对该等情况下的模型精度做出承诺。请联系代工支持团队进行专项分析。
线性热态 FET 模型与非线性热态 FET 模型有什么区别？
线性热态 FET 模型仅用于线性仿真（S 参数、噪声系数）。非线性热态 FET（NLHF）模型用于所有非线性仿真；需要直流偏置源。大多数 NLHF 模型不包含噪声模型 - - 噪声仿真请使用线性模型。
热态 FET 与冷态 FET 的区别是什么？
冷态 FET 模型的漏极偏置为 0V（用作开关）。热态 FET 模型需要施加漏极电压（用作放大器）。
如何使用退化晶体管的源极通孔选项 "via=yes/no"？
via=yes 时，源极直接接地（2 端口）。via=no（3 端口）时，源极可访问。请参阅设计手册（Design Manual）的电路模型章节。
GH15 为什么有不同的工艺版本？
GH15-1X 系列允许客户在多个版本中选择，以适应紧凑设计、防潮保护或高频优化版图等不同需求。
如何在电路性能中考虑 BCB（苯并环丁烯）的影响？
PDK 中的电路模型和电磁堆叠均已考虑了 BCB 的影响。启用此选项的说明请参阅设计手册。
MPW（共享流片）
MPW 计算 MMIC 尺寸时需要考虑划片道吗？
是的，您需要在芯片框架尺寸的基础上，GaN 工艺增加 100 µm，GaAs 工艺增加 70 µm。
共享流片（MPW）包含哪些内容？
MPW 仅限于制造并从 PCM（工艺控制监视器）合格的晶圆中交付每电路 20 颗裸片，不含测量或光学检查。
可靠性
是否可以超过最大额定值使用？
UMS 定义了两种最大额定值：ROR（推荐工作额定值）和 AMR（绝对最大额定值）。为获得长寿命，应在 ROR 范围内工作；短时间超过 ROR 是可能的，但 UMS 不保证可靠性或模型精度。超过 AMR 可能导致灾难性失效。
航天应用
电路设计阶段应遵循哪些航天降额规则？
通用航天降额规则如下：取 75% AMR（如低于 ROR）或 ROR 值。 请查阅最新的 ESA 标准： https://escies.org/webdocument/showArticle?id=167&groupid=6.
晶圆航天认证的流程是什么？
认证流程包括：基于直流和射频测试的 WAT（晶圆验收测试）、航天目检（Cond. A级）、引线键合和芯片剪切测试，以及 SEM（扫描电子显微镜）检查。
4 英寸晶圆的有效面积是多少？
约 6,080 mm²（GaAs 和 GaN）。
拼版
我需要自己拼版（tile building）吗？
UMS 将负责拼版工作以优化空间并最大化每片晶圆的电路数量。客户可根据特殊需求提供拼版图纸。请为 PCM 留出空白区域。
划片道的尺寸是多少？
划片道内不得有金属化层。划片道宽度：GaN 为 100 µm，GaAs 为 70 µm，由 UMS 在拼版时添加。
如何使用芯片框架（die frame）进行电路版图设计？
电路版图由芯片框架界定边界。最终 MMIC 尺寸等于芯片框架尺寸加上划片道宽度。
如何放置电子束对准标记？
放置在每个电路的 4 个角上，所有标记方向一致（水平或垂直）。
可以选择不同的晶体管栅极方向吗？
不可以。所有栅极必须具有相同的方向（水平）。
划片后的公差是多少？
划片后的公差为划片道宽度的一半：GaN 为 ±50 µm，GaAs 为 ±35 µm。
最小芯片尺寸是多少？
推荐的最小芯片尺寸为 800 µm × 800 µm。
术语表
以下缩写和术语在 UMS 代工服务和技术文档中常用。