常見問題
常見問題解答
找不到您需要的資訊？沒問題！聯繫我們的專家團隊。
後端服務
UMS 對芯片焊接有什麼建議？
請參考 UMS 官網的應用筆記 AN0001，瞭解 UMS 器件推薦的焊接温度曲線和指南。
UMS QFN 封裝服務是如何運作的？
UMS 提供經過認證的 QFN 塑封服務，適用於 GaN 和 GaAs 兩種工藝技術。該服務包括 UMS 安全庫存的引線框架庫，以及需由客戶完成的封裝設計規則合規檢查清單。組裝有最小起訂量要求。對於樣品數量較少的開發光罩，可選擇使用假片（dummy wafer）進行工藝調試和認證。如需完整的 QFN 設計流程和引線框架規格，請聯繫代工支持團隊。
BEBO、BEMO、MENT、NTBO、NTMO 和 NTNT 分別代表什麼？
交付的芯片按四字母代碼分類，源自法語縮寫：
- 前兩位表示電性能分選：BE = 電性能合格，ME = 電性能不合格，NT = 未分選
- 後兩位表示光學分選：BO = 光學合格，MO = 光學不合格，NT = 未分選
示例：BEBO = 電性能合格/光學合格的芯片，BEMO = 電性能合格/光學不合格的芯片，NTNT = 電性能未分選/光學未分選的芯片。
每根探針的最大直流電流是多少？
每根探針的最大直流電流為 500 mA。
晶圓在膠膜上可以存放多久？
膠膜並非用於長期存放，而是用於運輸。在膠膜上的最佳存放期限約為 6 個月。如需長期存儲，UMS 建議將晶圓置於受控環境中，保留原包裝。具體存儲建議請聯繫代工支持團隊。
如何去除 UV 膠帶？
請聯繫代工支持團隊獲取 UV 膠帶去除程序的具體文檔。UMS 會為有後端服務訂單的客戶提供詳細的工藝説明。
CAD / 代工服務
如何安裝 ADS PDK？
設計工具包中包含安裝指南。
ADS PDK 許可證到期後如何續期？
年度 ADS 密鑰可直接從您在 UMS 官網的賬户中下載。
為什麼獲取 PDK 需要簽署 DK（Design Kit）協議？
DK（設計工具包）/ DM（設計方法）知識產權用戶協議是為了保護 UMS 的知識產權。PDK 包含 UMS 開發的專有模型參數、版圖單元和工藝設計規則。簽署協議確保您僅將 PDK 用於自身設計工作，且不會分享或逆向工程其中的內容。
為什麼 DK 協議僅由客戶單方簽署？
本文件為單向協議。在此階段，僅 UMS 向客戶分享技術資訊，該等資訊不應轉讓給第三方或公開發布。而客戶產生的成果（包括模型、設計、測量數據、電路拓撲）屬於客戶的知識產權，為其獨家所有。UMS 承諾保護其機密性。
進行代工流片是否需要出口許可證？
僅當出口目的地為歐盟、澳大利亞、加拿大、日本、新西蘭、挪威、瑞士、英國和美國以外的國家時，才需要單獨出口許可證。客戶應根據要求填寫最終用途證明（EUC）。審核約需 1 個月。
可以將 PDK 發送給我們公司的其他部門嗎？
PDK 僅授權給特定的法律實體（公司）。如果貴公司的其他部門需要使用 PDK，則必須另行簽署 DK 協議。請聯繫 UMS 代工支持團隊為額外的公司部門或子公司安排 PDK 訪問權限。
如何申請設計工具包（PDK）？
獲取設計工具包需要簽署 DK/DM 知識產權用戶協議。請訪問我們的設計工具包頁面下載協議並提交申請。您也可以在 UMS Portal 註冊，在線申請 PDK 訪問權限。
如何參與共享流片（MPW）？
請訪問我們的 共享流片（MPW）頁面了解當年排期及各工藝報價。然後通過 代工諮詢 表單提交詢價，TMT 將協助您與 UMS 協調 MPW 參與事宜。
Layout
可以修改晶體管或二極管的版圖嗎？
有源器件的版圖不可修改。如果客戶出於開發目的希望測試版圖修改，UMS 可在檢查所提出版圖的可製造性後接受例外處理。儘管如此，UMS 無法保證模型精度、器件可靠性（魯棒性和壽命）或製造良率。
如何在電路上繪製文字？
請使用 ADS 元件庫（Miscellaneous 面板）中的字母庫，或 Cadence AWR MWO PDK 提供的 gds 文件。
在哪些情況下必須使用 PDK 中的焊盤（pad）？
如由 UMS 進行晶圓在片測試或組裝，則必須使用 PDK 中提供的焊盤單元（pad cell），因為這些焊盤具備 UMS 服務所需的最小尺寸。如果客戶的測量和/或組裝在 UMS 以外進行且工藝兼容，則可以使用其他尺寸和間距的焊盤。
UMS 晶圓在片測試（OWT）的版圖約束有哪些？
必須使用 PDK 庫中的射頻和直流焊盤。建議每個直流焊盤配一個接地焊盤。每側最多 15 個焊盤。每根探針最大直流電流為 500 mA。
Model
可以在有效域之外使用模型嗎？
模型可基於外推在有效域之外提供仿真結果。但 UMS 不對該等情況下的模型精度做出承諾。請聯繫代工支持團隊進行專項分析。
線性熱態 FET 模型與非線性熱態 FET 模型有什麼區別？
線性熱態 FET 模型僅用於線性仿真（S 參數、噪聲係數）。非線性熱態 FET（NLHF）模型用於所有非線性仿真；需要直流偏置源。大多數 NLHF 模型不包含噪聲模型 - - 噪聲仿真請使用線性模型。
熱態 FET 與冷態 FET 的區別是什麼？
冷態 FET 模型的漏極偏置為 0V（用作開關）。熱態 FET 模型需要施加漏極電壓（用作放大器）。
如何使用退化晶體管的源極通孔選項 "via=yes/no"？
via=yes 時，源極直接接地（2 端口）。via=no（3 端口）時，源極可訪問。請參閲設計手冊（Design Manual）的電氣模型章節。
GH15 為什麼有不同的工藝版本？
GH15-1X 系列允許客戶在多個版本中選擇，以適應緊湊設計、防潮保護或高頻優化版圖等不同需求。
如何在電路性能中考慮 BCB（苯並環丁烯）的影響？
PDK 中的電氣模型和電磁堆疊均已考慮了 BCB 的影響。啓用此選項的説明請參閲設計手冊。
MPW（共享流片）
MPW 計算 MMIC 尺寸時需要考慮劃片道嗎？
是的，您需要在芯片框架尺寸的基礎上，GaN 工藝增加 100 µm，GaAs 工藝增加 70 µm。
共享流片（MPW）包含哪些內容？
MPW 僅限於製造並從 PCM（工藝控制監視器）合格的晶圓中交付每電路 20 顆裸片，不含測量或光學檢查。
可靠性
是否可以超過最大額定值使用？
UMS 定義了兩種最大額定值：ROR（推薦工作額定值）和 AMR（絕對最大額定值）。為獲得長壽命，應在 ROR 範圍內工作；短時間超過 ROR 是可能的，但 UMS 不保證可靠性或模型精度。超過 AMR 可能導致災難性失效。
航天應用
電路設計階段應遵循哪些航天降額規則？
通用航天降額規則如下：取 75% AMR（如低於 ROR）或 ROR 值。 請查閲最新的 ESA 標準： https://escies.org/webdocument/showArticle?id=167&groupid=6.
晶圓航天認證的流程是什麼？
認證流程包括：基於直流和射頻測試的 WAT（晶圓驗收測試）、航天目檢（Cond. A級）、引線鍵合和芯片剪切測試，以及 SEM（掃描電子顯微鏡）檢查。
4 英寸晶圓的有效面積是多少？
約 6,080 mm²（GaAs 和 GaN）。
拼版
我需要自己拼版（tile building）嗎？
UMS 將負責拼版工作以優化空間並最大化每片晶圓的電路數量。客戶可根據特殊需求提供拼版圖紙。請為 PCM 留出空白區域。
劃片道的尺寸是多少？
劃片道內不得有金屬化層。劃片道寬度：GaN 為 100 µm，GaAs 為 70 µm，由 UMS 在拼版時添加。
如何使用芯片框架（die frame）進行電路版圖設計？
電路版圖由芯片框架界定邊界。最終 MMIC 尺寸等於芯片框架尺寸加上劃片道寬度。
如何放置電子束對準標記？
放置在每個電路的 4 個角上，所有標記方向一致（水平或垂直）。
可以選擇不同的晶體管柵極方向嗎？
不可以。所有柵極必須具有相同的方向（水平）。
劃片後的公差是多少？
劃片後的公差為劃片道寬度的一半：GaN 為 ±50 µm，GaAs 為 ±35 µm。
最小芯片尺寸是多少？
推薦的最小芯片尺寸為 800 µm × 800 µm。
術語表
以下縮寫和術語在 UMS 代工服務和技術文檔中常用。