UMS 射频半导体
欧洲领先的 III-V 族化合物半导体晶圆代工厂与设计中心 - 275+ 款 GaAs / GaN MMIC，覆盖 DC-105.5 GHz
UMS
UMS（United Monolithic Semiconductors）成立于 1998 年，总部位于法国 Villebon sur Yvette，是欧洲领先的 III-V 族化合物半导体晶圆代工厂和 MMIC 设计中心。公司拥有超过 275+ 款精选产品，频率覆盖 DC-105.5 GHz，工艺涵盖 GaAs pHEMT / HBT 和 GaN-on-SiC 两大平台。
UMS 产品广泛应用于国防雷达、电子对抗、卫星通信载荷、5G/6G 基站、点对点微波链路和测试测量仪器等领域，多项产品获得 ESA 航天级认证。作为 UMS 官方授权代理商，TMT 提供全线产品的技术选型、参数咨询和商务支持。
核心工艺平台
GaAs pHEMT 0.25μm / 0.15μm - 低噪声、高线性度 MMIC，覆盖 S 至 W 波段
GaN-on-SiC 0.5μm / 0.25μm - 高功率密度，覆盖 S 至 Ka 波段，适用于雷达和电子战
GaAs HBT - 高功率、高效率放大器工艺
产品分类
十大产品系列，覆盖射频前端全部功能链路
低噪声放大器 (LNA)
DC-105 GHz 超低噪声 MMIC，NF 低至 1.5 dB
功率放大器 (HPA/MPA)
GaAs/GaN 功放，输出功率最高 50W
可变增益放大器 (VGA)
增益可调范围 30+ dB，线性度优异
混频器与倍频器
次谐波混频器、倍频器，覆盖至 105.5 GHz
压控振荡器 (VCO)
固定频率与宽带 VCO，相位噪声优异
开关与衰减器
SPDT/T 型开关，数控衰减器，隔离度高
移相器与核心芯片
数控/模拟移相器，T/R 核心芯片
下变频器与检波器
集成下变频模块，功率检波器
GaN 功率晶体管
0.5μm / 0.25μm GaN-on-SiC 裸芯片与封装
GaAs 晶体管
DC-40 GHz GaAs pHEMT 分立晶体管 - 超低噪声
射频前端与功分器
功分器、耦合器、射频前端集成模块
使用 UMS 官方产品检索器 按频率、功率、功能、芯片组和应用领域筛选产品
UMS 命名规则速查
产品型号前缀对应功能类别，快速识别产品类型
| 前缀 | 产品类别 | 说明 |
|---|---|---|
| CHA | 放大器 | LNA、HPA、MPA、VGA - 所有放大器类产品（含模拟/数字 VGA、衰减器变体） |
| CHM | 混频器 | 次谐波混频器、正交混频器等频率转换器件 |
| CHX / CHM | 倍频器 | 频率倍频器（如 CHX2192-99F）。注：CHX 前缀也用于部分传统射频前端器件 |
| CHV | 压控振荡器 | 固定频率 VCO 和宽带调谐 VCO |
| CHS | 开关与衰减器 | SPDT / T 型射频开关；数控/模拟衰减器（部分也使用 CHA 前缀） |
| CHP | 移相器与核心芯片 | 数控/模拟移相器和 T/R 核心芯片（RX-TX） |
| CHR | 下变频器 | 集成下变频接收模块 |
| CHE | 检波器 | 功率检波器与包络检波器 |
| CHK / CHKA | GaN 功率晶体管 | GaN-on-SiC 裸芯片（CHK）与封装/法兰高功率型（CHKA）。内匹配型见 CHZ |
| CHZ | 内匹配 GaN 晶体管 | 50Ω 内匹配 GaN 功率晶体管（4 个型号） |
| CHC | 射频前端 | 集成射频前端模块（如 CHC6094） |
| CHW | Wilkinson 功分器 | 2 路和 4 路 Wilkinson 功分器（4 个型号） |
| EC | GaAs 晶体管 | GaAs pHEMT 分立晶体管（如 EC2612-99F，DC-40 GHz 超低噪声 pHEMT） |