技术工艺

面向射频与毫米波应用的工艺技术

面向射频与毫米波应用的工艺技术

在 UMS,我们为设计者提供可靠、高性能的 GaAs 和 GaN 工艺技术。我们的平台已通过在国防、航空航天、电信、汽车和 ISM 等关键领域成功部署大量标准产品而得到验证。

我们先进的 GaN HEMT、GaAs pHEMT、HBT、MESFET、肖特基二极管和无源元件技术—在高效 4 英寸生产线上制造—以开放代工模式提供。这使客户能够以完全自主的设计方式开发和制造自己的低噪声或高功率 MMIC 解决方案。

UMS 技术工艺

适用于航天飞行模型的工艺技术

我们大多数以代工模式提供的 GaAs 和 GaN 技术均已通过航天评估,并被列入欧洲航天局 (ESA) 欧洲优选元器件清单 (EPPL)。

UMS 技术工艺

开放工艺

UMS 开放工艺的关键参数和特性汇总如下。

UMS 开放工艺技术工艺表

工艺数据手册

GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管

GH25-10 →

GH15-1x →

GH10-10 →

GaAs pHEMT 功率

PPH15X-20 →

PPH25 →

GaAs HBT 异质结双极晶体管

HB20M →

GaAs MESFET 与肖特基

HP07 (MESFET) →

BES (Schottky) →

了解更多技术工艺信息

如需了解更多技术工艺信息,包括工艺选择指导、PDK 获取和技术规格,请填写下表。我们的团队将为您联系 UMS 技术专家,讨论您的具体需求。

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