UMS 射頻半導體
歐洲領先的 III-V 族化合物半導體晶圓代工廠與設計中心 - 275+ 款 GaAs / GaN MMIC，覆蓋 DC-105.5 GHz
UMS
UMS（United Monolithic Semiconductors）成立於 1998 年，總部位於法國 Villebon sur Yvette，是歐洲領先的 III-V 族化合物半導體晶圓代工廠和 MMIC 設計中心。公司擁有超過 275+ 款精選產品，頻率覆蓋 DC-105.5 GHz，工藝涵蓋 GaAs pHEMT / HBT 和 GaN-on-SiC 兩大平台。
UMS 產品廣泛應用於國防雷達、電子對抗、衞星通信載荷、5G/6G 基站、點對點微波鏈路和測試測量儀器等領域，多項產品獲得 ESA 航天級認證。作為 UMS 官方授權代理商，TMT 提供全線產品的技術選型、參數諮詢和商務支持。
核心工藝平台
GaAs pHEMT 0.25μm / 0.15μm - 低噪聲、高線性度 MMIC，覆蓋 S 至 W 波段
GaN-on-SiC 0.5μm / 0.25μm - 高功率密度，覆蓋 S 至 Ka 波段，適用於雷達和電子戰
GaAs HBT - 高功率、高效率放大器工藝
產品分類
十大產品系列，覆蓋射頻前端全部功能鏈路
低噪聲放大器 (LNA)
DC-105 GHz 超低噪聲 MMIC，NF 低至 1.5 dB
功率放大器 (HPA/MPA)
GaAs/GaN 功放，輸出功率最高 50W
可變增益放大器 (VGA)
增益可調範圍 30+ dB，線性度優異
混頻器與倍頻器
次諧波混頻器、倍頻器，覆蓋至 105.5 GHz
壓控振盪器 (VCO)
固定頻率與寬帶 VCO，相位噪聲優異
開關與衰減器
SPDT/T 型開關，數控衰減器，隔離度高
移相器與核心晶片
數控/模擬移相器，T/R 核心晶片
下變頻器與檢波器
集成下變頻模塊，功率檢波器
GaN 功率晶體管
0.5μm / 0.25μm GaN-on-SiC 裸晶片與封裝
射頻前端與功分器
功分器、耦合器、射頻前端集成模塊
GaAs 晶體管
DC-40 GHz GaAs pHEMT 分立晶體管 - 超低噪聲
使用 UMS 官方產品檢索器 按頻率、功率、功能、晶片組和應用領域篩選產品
UMS 命名規則速查
產品型號前綴對應功能類別，快速識別產品類型
| 前綴 | 產品類別 | 説明 |
|---|---|---|
| CHA | 放大器 | LNA、HPA、MPA、VGA - 所有放大器類產品（含模擬/數字 VGA、衰減器變體） |
| CHM | 混頻器 | 次諧波混頻器、正交混頻器等頻率轉換器件 |
| CHX / CHM | 倍頻器 | 頻率倍頻器（如 CHX2192-99F）。註：CHX 前綴也用於部分傳統射頻前端器件 |
| CHV | 壓控振盪器 | 固定頻率 VCO 和寬帶調諧 VCO |
| CHS | 開關與衰減器 | SPDT / T 型射頻開關；數控/模擬衰減器（部分也使用 CHA 前綴） |
| CHP | 移相器與核心晶片 | 數控/模擬移相器和 T/R 核心晶片（RX-TX） |
| CHR | 下變頻器 | 集成下變頻接收模塊 |
| CHE | 檢波器 | 功率檢波器與包絡檢波器 |
| CHK / CHKA | GaN 功率晶體管 | GaN-on-SiC 裸晶片（CHK）與封裝/法蘭高功率型（CHKA）。內匹配型見 CHZ |
| CHZ | 內匹配 GaN 晶體管 | 50Ω 內匹配 GaN 功率晶體管（4 個型號） |
| CHC | 射頻前端 | 集成射頻前端模塊（如 CHC6094） |
| CHW | Wilkinson 功分器 | 2 路和 4 路 Wilkinson 功分器（4 個型號） |
| EC | GaAs 晶體管 | GaAs pHEMT 分立晶體管（如 EC2612-99F，DC-40 GHz 超低噪聲 pHEMT） |