GaAs 晶體管

DC-40 GHz GaAs pHEMT 分立晶體管 - 超低噪聲係數,適用於高性能接收機前端

GaAs 晶體管系列概述

UMS GaAs pHEMT 分立晶體管為高性能接收機前端提供超低噪聲係數表現。覆蓋 DC 至 40 GHz,噪聲係數低於 0.8 dB,增益 14 dB,這些器件適用於雷達接收機、衞星通信載荷和測試測量系統等對信號完整性要求極高的低噪聲放大器前端。

EC
2612

EC2612-99F

40 GHz 超低噪聲 pHEMT(裸晶片) - DC-40 GHz,NF < 0.8 dB,增益 14 dB

頻率:DC-40 GHz 增益:14 dB 噪聲係數:0.8 dB 封裝:裸晶片 (Die)

需要 GaAs 晶體管選型幫助?

我們的技術團隊熟悉 UMS GaAs pHEMT 晶體管,可根據您的頻率、噪聲係數和增益需求推薦最優方案,並協助您完成接收機前端設計。

聯繫我們的技術團隊