DC-40 GHz GaAs pHEMT 分立晶体管 - 超低噪声系数，适用于高性能接收机前端
UMS GaAs pHEMT 分立晶体管为高性能接收机前端提供超低噪声系数表现。覆盖 DC 至 40 GHz，噪声系数低于 0.8 dB，增益 14 dB，这些器件适用于雷达接收机、卫星通信载荷和测试测量系统等对信号完整性要求极高的低噪声放大器前端。
40 GHz 超低噪声 pHEMT（裸芯片） - DC-40 GHz，NF < 0.8 dB，增益 14 dB
我们的技术团队熟悉 UMS GaAs pHEMT 晶体管，可根据您的频率、噪声系数和增益需求推荐最优方案，并协助您完成接收机前端设计。
