GaN 功率晶體管
基於 GaN-on-SiC 0.5μm / 0.25μm 工藝的功率晶體管裸晶片與封裝產品，覆蓋 S 至 Ku 波段，輸出功率 10-250W
GaN 功率晶體管系列概述
UMS GaN 功率晶體管基於 GaN-on-SiC 工藝平台，提供 0.5μm 和 0.25μm 兩種柵長選項，覆蓋 S 至 Ku 波段，單晶片輸出功率最高可達 250W。產品分為裸晶片（Die）和金屬陶瓷封裝兩種形式，裸晶片適合客戶自行封裝和功率合成，封裝產品可直接應用於 PCB 或波導腔體。GaN 技術的高功率密度和高效率特性，使雷達發射機和通信功放的體積和重量大幅降低，同時提高系統可靠性。
本頁涵蓋 UMS 產品檢索器中兩個功能分類：
GaN 功率晶體管（CHK/CHKA） - 12 個型號，裸晶片和封裝高功率晶體管 | 內匹配 GaN 功率晶體管（CHZ） - 4 個型號，50Ω 內匹配，便於 PCB 集成