GaN 功率晶体管
基于 GaN-on-SiC 0.5μm / 0.25μm 工艺的功率晶体管裸芯片与封装产品，覆盖 S 至 Ku 波段，输出功率 10-250W
GaN 功率晶体管系列概述
UMS GaN 功率晶体管基于 GaN-on-SiC 工艺平台，提供 0.5μm 和 0.25μm 两种栅长选项，覆盖 S 至 Ku 波段，单芯片输出功率最高可达 250W。产品分为裸芯片（Die）和金属陶瓷封装两种形式，裸芯片适合客户自行封装和功率合成，封装产品可直接应用于 PCB 或波导腔体。GaN 技术的高功率密度和高效率特性，使雷达发射机和通信功放的体积和重量大幅降低，同时提高系统可靠性。
本页涵盖 UMS 产品检索器中两个功能分类：
GaN 功率晶体管（CHK/CHKA） - 12 个型号，裸芯片和封装高功率晶体管 | 内匹配 GaN 功率晶体管（CHZ） - 4 个型号，50Ω 内匹配，便于 PCB 集成